试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
不同：1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。相同：1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。2.基极驱动电路应有一定的保护功能
举一反三
内容
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以下属于全控型器件的有() A: 功率晶体管（GTR） B: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) C: 门极可关断晶闸管（GTO） D: 电力场效应晶体管(MOSFET)
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下列哪种器件属于双极型器件： A: 单结晶体管 B: 电力晶体管 C: 电力场效应晶体管 D: 绝缘栅双极型晶体管
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门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
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绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（）
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（）的本质是一个场效应晶体管。 A: 肖特纳二极管 B: 电力晶体管 C: 可关断晶体管 D: 绝缘栅双极型晶体管