单结管主要工作有（ ）区
A: 负阻区
B: 饱和区
C: 高阻区
D: 低阻区
A: 负阻区
B: 饱和区
C: 高阻区
D: 低阻区
A,B
举一反三
内容
- 0
单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。 A: 富阻区 B: 截止区 C: 饱和区
- 1
集成运放的传输特性大体分为（ ）和 （ ）两个区域。 A: 线性区、非线性区 B: 饱和区、截止区 C: 截止区、变阻区 D: 变阻区、线性区
- 2
在放大电路中，场效应晶体管工作在漏极特性曲线的（ ）区域 A: 可调电阻区 B: 饱和区 C: 击穿区 D: 负阻区
- 3
半导体pn结空间电荷区又可以称为（） A: 发射区 B: 高阻区 C: 势垒区 D: 耗尽区
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对于N沟道增强型MOS管，当其漏极输出为高电平时，此时MOS工作在（ ） A: 截止区 B: 饱和区 C: 可变阻区