硅管的反向电流很小，但正向压降较大。锗管的正向压降较小，但反向电流较大。
举一反三
- 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
- 电路如图E.4所示，D1，D2均为硅管（正向压降0.7V），D为锗管（正向压降0.3V），U＝6V，忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为（ ）。37bcc2fc754487574d23c61ce0d82647.jpg
- 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大
- 理想二极管的伏安特性是（ ）。 A: 导通时正向压降很小，截止时反向电流很大 B: 导通时正向压降很大，截止时反向电流很小 C: 导通时正向压降为无穷大，截止时反向电流为零 D: 导通时正向压降为零，截止时反向电流为零
- (判断)通常硅二极管的正向管压降低于锗二极管的正向管压降。(5分) A: 正确 B: 错误