在SEM中二次电子的能量与背散射电子的能量比较
A: 二次电子的能量较大，可与入射电子的能量相当
B: 背散射电子的能量较大，而二次电子的能量一般小于50 eV,
C: 两种电子能量大小无明显区别
D: 无法判断
A: 二次电子的能量较大，可与入射电子的能量相当
B: 背散射电子的能量较大，而二次电子的能量一般小于50 eV,
C: 两种电子能量大小无明显区别
D: 无法判断
举一反三
- 二次电子能量较低，背散射电子能量很高（）
- 背散射电子特征是（） A: 其能量与入射电子的能量相近，运动方向受收集极电场的影响 B: 背散射电子发射量随元素表面原子的原子序数的增加而增加 C: 背散射电子不随元素表面原子的原子序数的变化而变化 D: 背散射电子能量与入射电子的能量相差很大
- 与二次电子像相比,扫描电镜背散射电子像有很高的分辨率,原因是背散射电子能量小,在样品中穿透能量弱,样品中的有效激发区域宽度小。(<br/>)
- EPMA-SEM基于（ ）、（ ）等进行形貌观察。 A: 二次电子、吸收电子 B: 透射电子、背散射电子 C: Auger电子、二次电子 D: 二次电子、背散射电子
- 背散射电子信号的收集效率较低是：（）（A）背散射电子能量高； （B）检测器质量； (C) 背散射电子可能来自样品内较大的体积范围内（D）运动方向 A: 背散射电子能量高 B: 检测器质量 C: 背散射电子可能来自样品内较大的体积范围内 D: 运动方向