耳蜗毛细胞基底膜内外的电位差为（）
A: 40~50mV
B: 70~80mV
C: 90~100mV
D: 120~130mV
E: 150~160mV
A: 40~50mV
B: 70~80mV
C: 90~100mV
D: 120~130mV
E: 150~160mV
举一反三
- 耳蜗毛细胞顶端膜内外的电位差为（） A: 40~50mV B: 70~80mV C: 90~100mV D: 120~130mV E: 150~160mV
- 下列关于耳蜗毛细胞静息电位的有关参数，正确的是 A: 毛细胞膜内电位为-70～-80mV B: 毛细胞基底部膜内外电位差为80mV C: 内淋巴电位为＋80mV D: 毛细胞顶端膜内外电位差达150～160mV E: 毛细胞基底部膜内外电位差为150～160mV
- 某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mv，其灵敏度为（ ）。 A: 40 mv/mm B: 50 mv/mm C: 60 mv/mm D: 70 mv/mm
- 专性厌氧产甲烷菌要求的氧化还原电位为（ ） A: +300～+400 mV B: +100 mV以上 C: +400 mV以上 D: -300～-400 mV
- 通常认为，Zeta电位绝对值大于（ ）的胶体分散系是稳定的。 A: 10 mV B: 30 mV C: 20 mV D: 40 mV