绝缘栅型场效应管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和。

2022-05-30

答案：

耗尽型

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关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是（）。 A: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 B: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 C: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 D: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
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【单选题】某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为()。 A. P 沟道增强型 B. N 沟道增强型 C. P 沟道耗尽型 D. N 沟道耗尽型
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某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（）。[img=80x80]180377bed694293.png[/img] A: P沟道增强型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: N沟道耗尽型
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某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（）。‍[img=80x80]1803d4c0e224a88.png[/img]‍ A: P沟道增强型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: N沟道耗尽型
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某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（）。[img=80x80]1803e169adcecaf.jpg[/img] A: P沟道增强型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: N沟道耗尽型

绝缘栅型场效应管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和 。