场效应晶体管的低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。其定义为：当uDS为规定值时，漏极电流iD的变化量和引起这个变化的( )变化量之比。
A: 漏极电流iD
B: 栅源电压uGS
C: 栅极电流iG
D: 不确定
A: 漏极电流iD
B: 栅源电压uGS
C: 栅极电流iG
D: 不确定
举一反三
- 中国大学MOOC: 场效应晶体管的低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。其定义为：当uDS为规定值时，漏极电流iD的变化量和引起这个变化的( )变化量之比。
- 中国大学MOOC: 场效应晶体管的低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。其定义为：当uDS为规定值时，( )的变化量和栅源电压uGS变化量之比。
- 场效应晶体管的放大作用表现为（ ）。 A: 栅极电流控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电流 C: 漏源电压控制漏极电流 D: 源极电流控制漏极电流
- 场效应管的跨导gm反映了场效应管（ ）的控制能力。 A: 栅源电压对漏极电流 B: 栅源电压对漏源电压 C: 栅极电压对漏极电流 D: 栅源电压对栅漏电压
- 场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的。 A: 栅极电流 B: 栅源电压 C: 漏源电压