跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系，Q点越高，gm越小
举一反三
- 场效应管的跨导gm在其交流小信号模型中，对应于一定的静态工作点Q，可近似为一个常数。
- N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管时，在SiQ2绝缘层中掺入大量正离子，因此即使uGS=0，在正离子作用下P型跨导gm与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大
- 二极管导通以后的动态电阻与静态工作点Q的关系,下列说法正确的是( )。 A: Q点越高,动态电阻的数值越大 B: Q点越高,动态电阻的数值越小 C: Q点越低,动态电阻的数值越小 D: 动态电阻的数值与Q点高低无关
- N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管...m与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大
- 场效应管的跨导gm在其交流小信号模型中，对应于一定的静态工作点Q，可近似为一个常数。 A: 正确 B: 错误