晶体三极管工作在饱和区时，发射结、集电结的偏置是( )
A: 发射结正向偏置，集电结反向偏置
B: 发射结正向偏置，集电结正向偏置
C: 发射结反向偏置，集电结反向偏置
D: 发射结反向偏置，集电结正向偏置
A: 发射结正向偏置，集电结反向偏置
B: 发射结正向偏置，集电结正向偏置
C: 发射结反向偏置，集电结反向偏置
D: 发射结反向偏置，集电结正向偏置
B
举一反三
- 三极管截止区的外部条件是（） A: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 B: 发射结反向偏置，集电结正向偏置 C: 发射结反向偏置，集电结反向偏置 D: 发射结正向偏置，集电结正向偏置
- 三极管处于放大状态时，发射结和集电结分别为（ ）状态。 A: 发射结正向偏置、集电结正向偏置 B: 发射结正向偏置、集电结反向偏置 C: 发射结反向偏置、集电结正向偏置 D: 发射结反向偏置、集电结反向偏置
- PNP/NPN三极管当其工作在放大状态时其各极电压关系为（） A: 集电结，发射结构处于正向偏置 B: 集电结正向偏置，发射结反向偏置 C: 集电结反向偏置，发射结正向偏置 D: 集电结，发射结构反向偏置
- 为使三极管工作在放大状态，必须保证（ ） A: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 B: 发射结正向偏置，集电结正向偏置 C: 发射结反向偏置，集电结正向偏置 D: 发射结反向偏置，集电结反向偏置
- 晶体管工作在放大区的条件是（）。 A: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 B: 发射结反向偏置，集电结正向偏置 C: 发射结正向偏置，集电结正向偏置 D: 发射结反向偏置，集电结反向偏置
内容
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晶体管处于放大状态的条件为()。 A: 发射结正向偏置，集电结正向偏置 B: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C: 发射结反向偏置，集电结正向偏置 D: 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。 A: 集电结正向偏置、发射结正向偏置 B: 集电结正向偏置、发射结反向偏置 C: 集电结反向偏置、发射结反向偏置 D: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
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晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。 A: 集电结正向偏置、发射结正向偏置 B: 集电结正向偏置、发射结反向偏置 C: 集电结反向偏置、发射结反向偏置 D: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
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晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。 A: 集电结正向偏置、发射结正向偏置 B: 集电结正向偏置、发射结反向偏置 C: 集电结反向偏置、发射结反向偏置 D: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
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工作在放大状态的三极管应满足（）。 A: 发射结、集电结均正向偏置 B: 发射结、集电结均反向偏置 C: 发射结正向偏置、集电结反向偏置 D: 发射结反向偏置、集电结正向偏置