对Flash写操作时可以先不擦除相应的段，直接写入即可。
举一反三
- 在对Flash存储器进行写操作时，可以以字节或字为单位进行写操作，但对Flash存储器进行擦除操作时，必须以段为单位进行擦除。
- NAND<br/>FLASH 与NOR<br/>FLASH 的区别是() A: NOR的读速度比NAND稍慢一些 B: NAND的擦除速度远比NOR的慢 C: 大多数写入操作需要先进行擦除操作 D: NAND的写入速度比NOR慢很多
- 由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成，因此可在一个段中运行程序，而对另一个段进行擦除或写入数据等操作。
- 中国大学MOOC: 写入函数与擦除函数类似，主要区别在于，擦除操作向目标地址中写0xFF，而写入操作需要写入指定数据。
- 信息Flash的擦除段为128字节，而和程序Flash的擦除段为512字节。