N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正
举一反三
- N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,( )。 A: PN 结越宽 B: 沟道越窄 C: 沟道电阻变大 D: 电流 ID 就越小 E: 沟道越宽
- N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， （ ） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
- N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， VGS为（正/负）电压，VDS为（正/负）电压 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负
- 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。