在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。
举一反三
- 在图3．4．1(a)所示的电路中，当电源V1=5V时．，测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V，则电流的大小将是________；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压VD=0．7V，当温度上升到40cC时，则VD的大小将是______。a．I<2mAb．I>2mAc．VD>0．7Vd．VD<0．7V
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的Kn＝1mA/V2，l = 0。则场效应管的gm为 _______，电路的小信号电压增益为 _______ 。[img=213x214]1802d7cca4da94e.jpg[/img] A: 2 mA/V，-18 B: 2 mA/V，-9 C: 1 mA/V，-18 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-9
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝7.9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。T的Kn＝1mA/V2，l = 0且MOS管有合适的静态工作点。则T的gm为（ ），电路的小信号电压增益为 （ ）。[img=436x425]1802df77befd5be.png[/img] A: 2 mA/V，-15.8 B: 2 mA/V，-7.9 C: 1 mA/V，-15.8 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-7.9
- （1）在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为50V，$V$=15V、温度为20℃时，$I$＝1μA； 当某一物理量参数变化时，其余参数不变。当$V$降低到5V时，则$I$ ______ ；
- 在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为50V，V=15V、温度为20℃时，I＝1μA； 当某一物理量参数变化时，其余参数不变。当V降低到5V时，则I____；当V降低到-5V时，则I的数值____；当V保持不变，温度降低到10℃时，则I____