关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-07-29 FLASH编程单元向浮栅注入电子时，产生，释放电子时，产生。? 隧道效应，雪崩击穿|电容效应，隧道效应|雪崩击穿，隧道效应|齐纳击穿，雪崩击穿 FLASH编程单元向浮栅注入电子时，产生，释放电子时，产生。? 隧道效应，雪崩击穿|电容效应，隧道效应|雪崩击穿，隧道效应|齐纳击穿，雪崩击穿 答案： 查看 举一反三 pn结的哪种击穿利用的是隧道效应的机理 A: 雪崩击穿 B: 齐纳击穿 C: 热电击穿 D: 电化学击穿 pn结雪崩击穿的的机理是（） A: 热击穿 B: 隧道击穿 C: 齐纳击穿 D: 载流子的倍增效应 pn结击穿类型中,哪一种击穿类型是由于量子隧道效应引起的?(<br/>) A: 雪崩击穿 B: 齐纳击穿 C: 热电击穿; PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。 简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）
