【单选题】已知某 MOS 管的衬底是 P 型半导体,且仅当栅源电压大于开启电压时才能形成导电沟道,此场效应管为()。
A. 耗尽型 NMOS 管
B. 增强型 NMOS 管
C. 耗尽型 PMOS 管
D. 增强型 PMOS 管
A. 耗尽型 NMOS 管
B. 增强型 NMOS 管
C. 耗尽型 PMOS 管
D. 增强型 PMOS 管
举一反三
- 下列场效应管中,无原始导电沟道的是( )。 A: P沟道JFET B: 增强型NMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（） A: N沟道JFET B: 增强型PMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的 A: 增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管 B: 增强型NMOS管和耗尽型PMOS管 C: 增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管 D: 增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
- 【多选题】VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A. N-JFET B. P-JFET C. 增强型NMOS管 D. 增强型PMOS管 E. 耗尽型NMOS管 F. 耗尽型PMOS管
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管