【单选题】影响细胞阈电位水平的因素,下列哪项是正确的?
A. 膜上电压门控钠离子通道分布密度增高，阈电位水平降低 B. 膜上电压门控钠离子通道分布密度增高，阈电位水平升高 C. 钠离子通道处于失活状态时，阈电位水平降低 D. 钠离子通道处于备用状态时，阈电位水平抬高 E. 细胞外钙离子浓度降低时，阈电位水平抬高
A. 膜上电压门控钠离子通道分布密度增高，阈电位水平降低 B. 膜上电压门控钠离子通道分布密度增高，阈电位水平升高 C. 钠离子通道处于失活状态时，阈电位水平降低 D. 钠离子通道处于备用状态时，阈电位水平抬高 E. 细胞外钙离子浓度降低时，阈电位水平抬高
举一反三
- 细胞膜去极化达到什么水平时,膜的钠离子通道大量开放 A: 动作电位水平 B: 静息电位水平 C: 阈电位水平 D: 0电位水平 E: 锋电位水平
- 神经元兴奋性的影响因素 A: 静息电位和阈电位水平 B: 钠通道的功能状态 C: 钙离子 D: 动作电位过程中神经元兴奋性的变化
- 膜电位等于钾离子平衡电位时() A: 钠离子通道开放,产生净钠离子内向电流 B: 钠离子通道开放,产生净钠离子外向电流 C: 钾离子通道开放,不产生净钾离子电流 D: 钠离子通道开放,不产生净钠离子电流 E: 膜两侧钾离子浓度梯度为0
- 决定和影响心室肌细胞兴奋性的因素有______。 A: 静息电位水平 B: 阈电位水平 C: Na+通道状态 D: Ca2+通道状态 E: 最大复极电位水平
- 化学突触传递过程中，最先开放的突触前膜的离子通道是（） A: 电压门控钙离子通道 B: 化学门控钙离子通道 C: 电压门控钠离子通道 D: 化学门控钠离子通道 E: 电压门控钾离子通道