• 2021-04-14
    体积V内有https://img0.ph.126.net/3...978355402.png的结果为(
  • (a+b+c)V

    举一反三

    内容

    • 0

      某同学计算得某一体积的最佳值为3.415835 立方厘米(通过某一关系式计算得到),不确定度为0.64352立方厘米,则应将结果表述为: A: V=(3.4±0.7)[img=31x22]18033d269363681.png[/img] B: V=(3.415835±0.64352)[img=31x22]18033d269363681.png[/img] C: V=(3.415835±0.6)[img=31x22]18033d269363681.png[/img] D: V=(3.41583±0.64352)[img=31x22]18033d269363681.png[/img]

    • 1

      某同学计算得某一体积的最佳值为3.415835 立方厘米(通过某一关系式计算得到),不确定度为0.64352立方厘米,则应将结果表述为: A: V=(3.4±0.7)[img=31x22]180307f77e8e17c.png[/img] B: V=(3.415835±0.64352)[img=31x22]180307f77e8e17c.png[/img] C: V=(3.415835±0.6)[img=31x22]180307f77e8e17c.png[/img] D: V=(3.41583±0.64352)[img=31x22]180307f77e8e17c.png[/img]

    • 2

      计算下列函数的导数:[img=132x26]1802f6255a99385.png[/img] 未知类型:{'options': ['', '', '', '[img src="https://img0.ph.126.net/Xl2csUY3sm99JOUqsvIxOg==/6631968265722891855.png"]'], 'type': 102}

    • 3

      设在金属与n型半导体之间加一电压,且https://img0.ph.126.net/83kJQk_ActDv4bjK_Tm6Bg==/2597169610128834051.png接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势https://img0.ph.126.net/qGoZVfZRy06KX8A0B98VPg==/1035264964361398215.png;外加电压为https://img0.ph.126.net/cOFM3QP9PggiW0zUGU3sag==/6632255238260720466.png, 施主浓度https://img1.ph.126.net/A6x9Jr8n1bE33HsM0B5XVA==/6632382781609516609.png,则耗尽层厚度约为( )。

    • 4

      设G=<;V,E>;为无向图,[img=52x21]17e0ab1cfb60906.png[/img],若u,v连通,则( ) A: d(u,v)>;0 B: d(u,v)=0 C: d(u,v)<;0 D: d(u,v)≥0