当栅源电压等于零时，增强型FET 导电沟道，结型FET的沟道电阻
无 --- 最小
举一反三
内容
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下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
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结型场效应管和增强型MOS管的区别在于：即使栅源电压为零，结型场效应管的导电沟道 。
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【多选题】不加栅-源电压,存在导电沟道的场效应管是() A. P沟道增强型场效应管 B. N沟道耗尽型场效应管 C. P沟道结型场效应管 D. N沟道增强型场效应管
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当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
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增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。 A: 正确 B: 错误