基本放大电路的电压放大倍数,在低频段下降的主要原因是。
A: 耦合电容的容抗随频率的降低而增大
B: 三极管的极间电容
C: 三极管本身的fT
A: 耦合电容的容抗随频率的降低而增大
B: 三极管的极间电容
C: 三极管本身的fT
举一反三
- 基本放大电路的电压放大倍数,在低频段下降的主要原因是( )。 A: 耦合电容的容抗随着频率的降低而增大 B: 三极管的极间电容的影响 C: 三极管的非线性的影响 D: 三极管的特征频率的影响
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_______,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_______。 A: 耦合电容 三极管的非线性特性 B: 三极管的极间电容 耦合电容 C: 三极管的极间电容 三极管的非线性特性 D: 耦合电容 三极管的极间电容
- 放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。 A: 耦合 B: 旁路 C: 耦合电容和旁路电容 D: 三极管极间
- 放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。 A: 耦合电容 B: 旁路电容 C: 耦合电容和旁路电容 D: 三极管极间
- MOS管共源极放大电路在低频信号作用时电压放大倍数数值下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。