关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-31 以下关于半导体器件描述正确的是（ ） A: mos管的开启电压为0.7V左右 B: 二极管的开启电压为0.7V左右 C: 衬偏效应会使mos管的阈值电压减小 D: 器件尺寸比较小时MOS管的电流电压方程仍然适用 以下关于半导体器件描述正确的是（ ）A: mos管的开启电压为0.7V左右B: 二极管的开启电压为0.7V左右C: 衬偏效应会使mos管的阈值电压减小D: 器件尺寸比较小时MOS管的电流电压方程仍然适用 答案： 查看 举一反三 MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。 P沟道的增强型MOS管的开启电压__________ 0，而N沟道增强型MOS管的开启电压__________0 P沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。N沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。 P沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值）。N沟道增强型MOS管的开启电压为_____（a.正值b.负值） MOS管是电压控制型器件。
