下列关于复合中心的说法中，错误的是（ ）。
A: 复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合
B: 复合中心的存在会降低少数载流子的寿命
C: 通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小
D: 复合中心能级一般在禁带中央附近
A: 复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合
B: 复合中心的存在会降低少数载流子的寿命
C: 通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小
D: 复合中心能级一般在禁带中央附近
举一反三
- 下列关于复合中心的说法中，错误的是（ ）。 A: 复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合 B: 复合中心的存在会降低少数载流子的寿命 C: 通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小 D: 复合中心能级一般在禁带中央附近
- 直接带隙半导体中存在复合中心，通过复合中心进行非平衡载流子的复合为直接复合。
- 非平衡载流子通过复合中心的复合称为（ ）。 A: 直接复合 B: 间接复合 C: 表面复合 D: 俄歇复合
- 半导体中的载流子复合的途径，不包括（ ） A: 带间电子- 空穴间接复合 B: 通过价带内的复合中心进行复合 C: 带间电子- 空穴直接复合 D: 通过禁带内的复合中心进行复合
- 非平衡载流子的复合大致可以分为自由电子和空穴的直接复合、通过复合中心的间接复合。