下列（ ）属于并行存储器结构。
A: 多模块交叉存储器
B: 双端口存储器
C: DRAM
D: SRAM
A: 多模块交叉存储器
B: 双端口存储器
C: DRAM
D: SRAM
举一反三
- 双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构，其中前者采用（）并行技术，后者采用（）并行技术。
- SRAM存储器的存储元是（），DRAM存储器的存储元是（）。
- 【单选题】关于双端口存储器和多模块交叉存储器描述不正确的是()。 A. 双端口存储器采用空间并行技术 B. 多模块交叉存储器采用时空并行技术 C. 双端口存储器在左端口与右端口的地址码相同情况下会发生读/写冲突 D. 交叉存储器是一种模块式存储器，它能并行执行多个独立的读写操作
- 多模块交叉存储器属于并行存储器结构，采用空间并行技术。（ ）
- 用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)。SRAM的存储元由____构成,DRAM的存储元由____构成,需要不断地刷新。