MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。
举一反三
- MOS结构是指金属-氧化物-半导体结构
- 栅源控制电压为0时,导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 对于金属晶体、氧化物晶体和半导体晶体,其界面相变熵的大小关系为:。 A: a氧化物>a金属>a半导体 B: a氧化物>a半导体>a金属 C: a金属>a氧化物>a半导体 D: a半导体>a金属>a氧化物
- MOS电容器的基本结构包含______ A: 金属(栅极/电极) B: 氧化物(SiO2) C: 半导体(Si衬底) D: 以上都不是
- MOS管是用________________材料制成的。按沟道类型分有N沟道和P沟道两类,其每一类又可分为耗尽型和增强型两种。 A: 金属 B: 氧化物 C: 半导体 D: 杂质