兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的形成过程中,共同的是:
A: 突触前膜均发生去极化
B: 突触前膜释放的递质的性质一样
C: 突触后膜对离子的通透性的改变一样
D: 突触后膜均发生去极化
E: 突触后膜均发生超极化
A: 突触前膜均发生去极化
B: 突触前膜释放的递质的性质一样
C: 突触后膜对离子的通透性的改变一样
D: 突触后膜均发生去极化
E: 突触后膜均发生超极化
A
举一反三
- 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是( ) A: 突触前膜均去极化 B: 突触后膜均去极化 C: 突触前膜释放的递质性质一样 D: 突触后膜对离子通透性一样
- A1/A2型题 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。 A: 突触前膜均去极化 B: 突触后膜均去极化 C: 突触前膜释放的递质性质一样 D: 突触后膜对离子通透性一样 E: 产生的突触后电位的最终效应一样
- 关于突触前抑制的正确描述是: A: 突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极化电位 B: 突触前膜超极化,释放抑制性递质 C: 突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少 D: 突触前膜去极化,释放抑制性递质 E: 突触后膜受体不能与兴奋性递质结合
- EPSP与IPSP所共有的特征是 A: 突触前膜均去极化 B: 突触前膜均超极化 C: 突触后膜均去极化 D: 突触后膜均超极化 E: 突触后膜对离子的通透性相同
- 抑制性突出后电位的发生机制()。 A: 突触前膜释放兴奋性递质 B: 突触前膜释放抑制性递质 C: 突触后膜兴奋性下降 D: 突触后膜兴奋性提高
内容
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突触前抑制的产生是由于：() 突触前膜部分超极化 B.突触后膜部分超极化 C突触后膜部分去极化 D突触前膜释放抑制性递质 E突触后膜释放抑制性递质
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关于突触前抑制的正确描述是（） A: 突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位 B: 突触前膜超极化，释放抑制性递质 C: 突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少 D: 突触前膜去极化，释放抑制性递质
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在突触传递过程中，抑制性递质作用于突触后膜所引起的突触后膜的电位变化是 A: 极化 B: 去极化 C: 超极化 D: 反极化 E: 正后电位
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EPSP与IPSP的共同特点为 A: 突触前膜去极化 B: 突触前膜超极化 C: 突触后膜去极化 D: 突触后膜超极化 E: 突触后神经元均易兴奋
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在突触传递过程中，兴奋性递质作用于突触后膜所引起的突触后膜的电位变化是 A: 极化 B: 去极化 C: 超极化 D: 反极化 E: 正后电位