抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加
A: Na+
B: K+
C: Ca2+
D: Cl-
A: Na+
B: K+
C: Ca2+
D: Cl-
举一反三
- IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（ ） A: Na＋ B: Ca2+ C: K＋、Cl-，尤其是Cl- D: Na＋、K＋、Cl-，尤其是K＋
- IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（） A: K+、Na+，尤其是K+ B: K+、Na+，尤其是Na+ C: Ca2+、K+、Cl-，尤其是K+ D: K+、Cl-，尤其是Cl-
- 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位（） A: Na＋、Cl-、K＋，尤其是K＋ B: Ca2＋、K＋、Cl-，尤其是Ca2＋ C: Na＋、K＋，尤其是Na＋ D: K＋、Cl-，尤其是Cl- E: K＋、Ca2＋、Na＋，尤其是Ca2＋
- 110. 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致 A: Na+、Cl-、K+ B: Ca、K+、Cl- C: Na+、K+ D: K+、Cl-
- IPSP的产生是由于突触后膜对哪些离子通透性提高 A: Na+、K+、Cl－ B: K+、Cl－ C: Na+、K+、Ca2+ D: K+、Cl－、Ca2+