已知：[img=167x31]18033dc539e8b64.png[/img][img=200x29]18033dc54493f66.png[/img],[img=200x29]18033dc54ed24d9.png[/img]，则[img=138x30]18033dc55758446.png[/img]值是
A: -0.55V
B: +0.55V
C: -0.31V
D: +0.31V
A: -0.55V
B: +0.55V
C: -0.31V
D: +0.31V
举一反三
- <p>已知[img=672x37]17cd1af4cd3ae4f.png[/img]</p> A: ＋1.65 v B: ＋0.40 v C: ＋0.55 v D: －0.037 v
- 如图所示，真空中，矩形导体框架置于通有电流I的长直载流导线旁，且两者共面，AD边与直导线平行，DC段可沿框架平动，设导体框架的总电阻R始终不变。现DC段以速度v沿框架向下作匀速运动，则当DC运动到图示位置（与AB相距x）时，穿过ABCD回路的磁通量[img=22x23]18035e9bf631ab5.png[/img]为（ ）[img=228x311]18035e9c01eb7a0.png[/img] A: [img=95x44]18035e9c0fadb87.png[/img] B: [img=95x44]18035e9c1d5c33c.png[/img] C: [img=36x44]18035e9c2578181.png[/img] D: [img=93x44]18035e9c2e59f6e.png[/img]
- 已知[img=104x30]1803dcfbcb59d58.png[/img]＝ -0.1266 V，[img=194x32]1803dcfbd771281.png[/img]，则[img=111x26]1803dcfbe067d15.png[/img]＝ 。 (A) (B)-0.409 V (C)-0.268 V (D)0.015 V A: 0.268 V B: —0.409 V C: —0.268 V D: 0.015 V
- 设随机变量X的概率密度函数为[img=228x53]18032ce74b47c94.png[/img],[img=212x27]18032ce758080a0.png[/img]则以下选项正确的是 A: 当0<x<1时，U的密度函数[img=93x25]18032ce760a03ee.png[/img] B: 当0<x<0.5时，V的密度函数[img=69x25]18032ce76940d9c.png[/img] C: 当0.25<x<1时，W的密度函数[img=104x47]18032ce77227d8d.png[/img] D: 当0<x<1时，U的密度函数[img=84x25]18032ce77a384b2.png[/img] E: 当0<x<0.5时，V的密度函数[img=83x25]18032ce78327979.png[/img] F: 当0.5<x<1时，V的密度函数[img=69x25]18032ce78b57a22.png[/img] G: 当0<x<0.25时，W的密度函数[img=104x47]18032ce7937da9a.png[/img] H: 当0.25<x<1时，W的密度函数[img=104x47]18032ce79b76fa6.png[/img] I: 当0.25<x<1时，W的密度函数[img=95x46]18032ce7a3a2ecb.png[/img]
- 已知某正弦交流电压的函数表达式[img=216x29]1803bcbfe5c6db0.png[/img]V，则电压对应的相量为（ ） A: [img=136x25]1803bcbfed5eaaa.png[/img]V B: [img=147x26]1803bcbff4bc702.png[/img]V C: [img=147x26]1803bcbffd150d3.png[/img]V D: [img=148x27]1803bcc00512e89.png[/img]V