ICP-AES中，ICP炬管的放置有哪些形式，分别有什么特点。
ICP炬管的放置方式主要有垂直和水平两种方式，两者比较如下：垂直放置时，电离元素和基体效应的影响远小于水平放置，且最佳高度选择的余地也更大，但受狭缝高度的限制，采光区较短，灵敏度受到一定限制，当试样基体较为复杂时宜采用此方式；水平放置是从ICP焰锥顶端采光，整个通道各个部分的光都可通过狭缝，因此提高了灵敏度，降低了检出限，但水平放置的基体效应较高，且存在电离干扰的问题，仅适合基体较小的试样的测定，此外炬管是水平放置，易沾污，RF功率也不能太高。目前比较流行的双向光测得光源，即在水平观测的基础上，增加一套侧向采光光路，实现垂直/水平双向观察。
举一反三
内容
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ICP光源是高频感应电流产生的类似火焰的激发光源，主要由（）等三部分组成。 A: 等离子炬管 B: 高频发生器 C: 单色器 D: 雾化器
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降低ICP的措施有（）
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降低ICP的措施有（）。
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由ICP负责ICP源站质量监控及优化（）
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中国大学MOOC: ICP备比ICP证的要求高。