• 2022-06-15
    根据晶体场理论,八面体场场强不同有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是
    A: [img=23x17]1802da0d2e64fc7.png[/img]
    B: [img=24x24]1802da0d363fbd8.png[/img]
    C: [img=24x23]1802da0d3eeaa98.png[/img]
    D: [img=21x26]1802da0d477a351.png[/img]
  • C

    内容

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      根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋或低自旋的电子构型是: A: [img=17x22]1803d4de909ab3f.png[/img] B: [img=17x22]1803d4de99a0e8d.png[/img] C: [img=17x22]1803d4dea1e7e25.png[/img] D: [img=17x22]1803d4deaa5f912.png[/img]

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      根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋或低自旋的电子构型是: A: [img=17x22]1803588bc175fbf.png[/img] B: [img=17x22]1803588bc97a8e5.png[/img] C: [img=17x22]1803588bd246a1b.png[/img] D: [img=17x22]1803588bda4a10f.png[/img]

    • 2

      设随机变量(X,Y)在区域{(x,y): 0<|y|< x <2}内均匀分布,则以下结果正确的是 A: 当0<x<2时,[img=96x25]1802dded7db6eef.png[/img]. B: E(X)=4/3 C: 当0<|y|<2时,[img=105x45]1802dded872b92f.png[/img]. D: P(X<1)=0.5 E: 当0<x<2时,[img=110x45]1802dded915de6e.png[/img]. F: E(X)=2/3 G: 当0<y<2时,[img=95x43]1802dded9a54300.png[/img].

    • 3

      函数f(x)=[img=40x76]17e0bf8d391c13e.png[/img]的不连续点为( ) 未知类型:{'options': ['x=0', ' x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=2kπ(k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)'], 'type': 102}

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      已知[img=220x43]1802fca0bce8129.png[/img],则为()。 A: x(0)=0 B: x(0)=1 C: x(∞)=2 D: x(∞)=∞