晶体管工作在放大状态时，发射结( )，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V
正偏
举一反三
- 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 A: 0.2V B: 0.3V C: 0.5V D: 0.7V
- 晶体管工作在放大状态时，发射结（），对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 A: 反偏 B: 正偏 C: 开路 D: 断路
- 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.3[br][/br]V和0.7V左右。
- 智慧职教: 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。
- 锗管和硅管的PN结导通电压分别约为（ ） A: 0.7V、0.5V B: 0.3V、0.7V C: 0.7V、0.1V D: 0.7V、0.3V
内容
- 0
二极管导通时正向压降硅管约为（ ），锗管约为（ ）。 A: 0V；0V B: 0.2V；0.3V C: 0.7V；0.3V
- 1
下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
- 2
硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 3
硅管的死区电压约为 V，锗管的死区电压约为 V。
- 4
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为____V和____V