光子能量大于1.02MeV时，生成（）。
电子对效应
举一反三
- 射线透过物质时，电子对生成效应只能在入射射线光子能量达到（）时才能发生。 A: 1.02MeV B: 大于1.02MeV C: 1020keV D: 小于1020keV
- 只有当入射X（γ）光子能量大于多少时才能发生电子对效应 A: 200 keV B: 400 keV C: 1.02 MeV D: 1.25 MeV
- X射线的光子与物质相互作用时，当射线能量达到MeV以上时，会产生电子、正电子对，而光子的能量全部消失，这就是“电子对的生成”效应。
- 发生电子对效应的条件是入射光子能量必须大于：（ ） A: 0.511eV B: 1.02keV C: 0.511MeV D: 1.02MeV E: 1.02eV
- 只有当入射X(γ)光子能量大于多少时才能发生电子对效应( )。 A: 200Kev B: 400Kev C: 1.02Mev D: 1.25Mev E: 1.33Mev
内容
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已知一个X光光子能量为0.60 MeV，经康普顿散射后波长改变了20%。则反冲电子获得的动能量为 A: 0.10 MeV B: 0.20 MeV C: 0.30 MeV D: 0.40 MeV
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关于电子对效应，下面说法错误的是：（ ） A: 是光子与核作用时产生的 B: 任何能量的光子都能产生电子对效应 C: 光子能量必须大于1.02MeV D: 次级效应为湮灭辐射 E: 诊断射线范围里不产生电子对效应
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发生电子对生成现象时，γ光子的能量必须大于() A: 1.022MeV B: 1.022keV C: 511MeV D: 511keV E: 140keV
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发射光子能量如果大于激发光子能量,则发射多频率光子。( )
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发生外光电效应的条件是（ ）。 A: 光子能量大于等于溢出功 B: 光子能量大于溢出功 C: 光子能量小于等于溢出功 D: 光子能量小于溢出功