关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-09 以下对于SiC器件的优点描述错误的是 A: 耐压高 B: 功耗大 C: 热导率高 D: 结温>300度 以下对于SiC器件的优点描述错误的是A: 耐压高B: 功耗大C: 热导率高D: 结温>300度 答案： 查看 举一反三 以下对于SiC器件的优点描述错误的是 A: 耐压高 B: 功耗大 C: 热导率高 D: 结温>300度 智慧职教: 以下对于SiC器件的优点描述错误的是（ ）。 半导体器件具有()等优点。 A: 体积大 B: 重量轻 C: 功耗高 D: 使用寿命长 IGBT的优点是可以控制高电压大电流而且功耗小。 CMOS反相器的优点是（） A: 易饱和和截止 B: 易维修 C: 功耗小 D: 功耗高
