影响金属应变片电阻变化的最主要原因是（ ）
A: 材料电阻率的变化
B: 材料几何尺寸的变化
C: 材料化学性质的变化
D: 材料光学性质的变化
A: 材料电阻率的变化
B: 材料几何尺寸的变化
C: 材料化学性质的变化
D: 材料光学性质的变化
B
举一反三
- 影响金属应变式电阻传感器的应变灵敏度系数k的主要因素是（ ）。 A: 导电材料几何尺寸的变化 B: 导电材料电阻率的变化 C: 导电材料物理性质的变化 D: 导电材料化学性质的变化
- 影响压阻式电阻传感器的应变灵敏度系数k的主要因素是()。 A: 材料几何尺寸的变化 B: 材料电阻率的变化 C: 材料物理性质的变化 D: 材料化学性质的变化
- 影响应变式电阻传感器的应变灵敏度系数k的主要国素是(） A: 导电材料几何尺寸的变化 B: 导电材料电阻率的变化 C: 静电材料物理性质的变化 D: 导电材料化学性质的变化
- 影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是（）。 A: 导电材料电阻率的变化 B: 导电材料几何尺寸的变化 C: 导电材料物理性质的变化 D: 导电材料化学性质的变化
- 影响半导体材料应变灵敏系数K的主要因素是（ ）。 A: 材料电阻率的变化 B: 材料几何尺寸的变化 C: 材料物理性质的变化 D: 材料化学性质的变化
内容
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影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是（ ）。 A: 导电材料电阻率的变化 B: 导电材料物理性质的变化 C: 导电材料化学性质的变化 D: 导电材料几何尺寸的变化
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【单选题】影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是( B )。 导电材料电阻率的变化 A. 导电材料电阻率的变化 B. 导电材料几何尺寸的变化 C. 导电材料物理性质的变化 D. 导电材料化学性质的变化
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影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是()。 A: 导电材料物理性质的变化 B: 导电材料化学性质的变化 C: 导电材料电阻率的变化 D: 导电材料应变的变化
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金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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金属丝的应变灵敏系数Ks的组成包括（）。 A: 导电材料电阻率的变化 B: 导电材料几何尺寸的变化 C: 导电材料温度系数的变化 D: 导电材料化学性质的变化 E: 导电材料膨胀系数的变化