在高能级E2上的电子，受到能量为hf12的外来光子激发时，使电子被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，同时释放出一个与激发光同频率、同相位、同方向的光子（称为全同光子）。由于这个过程是在外来光子的激发下产生的，所以这种跃迁称为受激辐射，受激辐射是（ ）的理论基础。
A: 光电检测器
B: 发光二极管
C: 激光器
D: APD
A: 光电检测器
B: 发光二极管
C: 激光器
D: APD
举一反三
- 中国大学MOOC:"在高能级E2上的电子，受到能量为hf12的外来光子激发时，使电子被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，同时释放出一个与激发光同频率、同相位、同方向的光子（称为全同光子）。由于这个过程是在外来光子的激发下产生的，所以这种跃迁称为受激辐射，受激辐射是（ ）的理论基础。";
- 在高能级E2的电子,受到入射光的作用,被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合,释放的能量产生光辐射,这种跃迁称为( ) A: 受激吸收 B: 受激辐射 C: 光子跃迁 D: 电子跃迁
- 在外来光子的激发下，高能级E2上的电子跃迁到低能级E1，并发射出一个与外来光子完全相同的光子的过程称为() A: 自发辐射 B: 受激辐射 C: 非辐射复合 D: 受激吸收
- 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射。
- 处于高能级上的电子，当受到外来光子的激发而跃迁到低能级，同时放出一个能量为hf的光子，这个过程叫做（ ）。