IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加
K+和Cl-,尤其是Cl-
举一反三
内容
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IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 A: Na+ B: Ca2+ C: K+ D: Cl-
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IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的() A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na+ C: Ca2+、K+、Cl-,尤其是K+ D: K+、Cl-,尤其是Cl-
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EPSP称为 ,是由于突触后膜对 的通透性增加,从而导致突触后膜出现 。IPSP称为 ,是由于突触后膜对 和 的通透性增加,尤其是对 的通透性增加,从而导致突触后膜出现
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智慧职教: 抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加
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IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加:() A: 钠离子; B: 钙离子; C: 钾离子和氯离子,尤其是氯离子; D: 钠离子、钾离子、氯离子,尤其是钾离子