本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
A: 自由电子，空穴；扩散，飘移
B: 空穴，自由电子；漂移，扩散
C: 空穴，自由电子；扩散，漂移
D: 自由电子，空穴；漂移，扩散
E: 自由电子，空穴；扩散，扩散
A: 自由电子，空穴；扩散，飘移
B: 空穴，自由电子；漂移，扩散
C: 空穴，自由电子；扩散，漂移
D: 自由电子，空穴；漂移，扩散
E: 自由电子，空穴；扩散，扩散
C
举一反三
- 【单选题】N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是();P型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。 A. 自由电子，空穴；空穴，自由电子 B. 空穴，自由电子，空穴，自由电子 C. 自由电子，空穴，自由电子，空穴 D. 空穴，自由电子，自由电子，空穴
- 在P型半导体中多数载流子是( ),在N型半导体中多数载流子是( )。 A: 空穴/自由电子 B: 自由电子/空穴 C: 空穴/共价键电子 D: 负离子/正离子
- N型半导体中多数载流子是 ；P型半导体中多数载流子是 。 A: 自由电子、空穴 B: 空穴、自由电子 C: 自由电子 D: 空穴
- N型半导体中多数载流子是（ ），P型半导体中多数载流子是（ ）。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 电子—空穴对 D: 无
- 下面关于P型半导体和N型半导体的表述正确的是() A: P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 B: N型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 C: P型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 D: N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
内容
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N型半导体中多数载流子是少数载流子是：（）。 A: 自由电子--自由电子 B: 空穴--空穴 C: 自由电子--空穴 D: 空穴--自由电子
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P型半导体中多数载流子是( )。 A: 电子 B: 自由电子 C: 空穴
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N型半导体的多数载流子是__，少数载流子是__。（ ） A: 空穴，自由电子 B: 自由电子，空穴 C: 空穴，空穴 D: 自由电子，自由电子
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N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。 A: 自由电子，空穴 B: 空穴，自由电子 C: 自由电子，正离子 D: 空穴，负离子
- 4
N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。 A: 自由电子，空穴 B: 空穴，自由电子 C: 自由电子，正离子 D: 空穴，负离子