本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
A: 自由电子,空穴;扩散,飘移
B: 空穴,自由电子;漂移,扩散
C: 空穴,自由电子;扩散,漂移
D: 自由电子,空穴;漂移,扩散
E: 自由电子,空穴;扩散,扩散
A: 自由电子,空穴;扩散,飘移
B: 空穴,自由电子;漂移,扩散
C: 空穴,自由电子;扩散,漂移
D: 自由电子,空穴;漂移,扩散
E: 自由电子,空穴;扩散,扩散
举一反三
- 【单选题】N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是();P型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。 A. 自由电子,空穴;空穴,自由电子 B. 空穴,自由电子,空穴,自由电子 C. 自由电子,空穴,自由电子,空穴 D. 空穴,自由电子,自由电子,空穴
- 在P型半导体中多数载流子是( ),在N型半导体中多数载流子是( )。 A: 空穴/自由电子 B: 自由电子/空穴 C: 空穴/共价键电子 D: 负离子/正离子
- N型半导体中多数载流子是 ;P型半导体中多数载流子是 。 A: 自由电子、空穴 B: 空穴、自由电子 C: 自由电子 D: 空穴
- N型半导体中多数载流子是( ),P型半导体中多数载流子是( )。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 电子—空穴对 D: 无
- 下面关于P型半导体和N型半导体的表述正确的是() A: P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。 B: N型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。 C: P型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。 D: N型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。