若有定义bit flag；则变量flag处于的存储区域为（）。
A: 内部RAM的0H-1FH单元
B: 内部RAM的20H-2FH单元
C: 外部RAM的20H-2FH单元
D: 内部RAM的30H-7FH单元
A: 内部RAM的0H-1FH单元
B: 内部RAM的20H-2FH单元
C: 外部RAM的20H-2FH单元
D: 内部RAM的30H-7FH单元
B
举一反三
- 内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H ～ H 。
- MCS-51单片机内部RAM区低128B中可位寻址单元的地址为（）。 A: 80H-FFH B: 00H-1FH C: 30H-7FH D: 20H-2FH
- AT89S52单片机内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 ______ H～ ______ H。
- MCS-51单片机的内部寻址的RAM单元是【 】。 A: 00H-7FH B: 80H-FFH C: 00H-1FH D: 20H-2FH
- 80C51单片机内部RAM地址为（ ）的单元是位寻址区。 A: 00H-0FH B: 20H-2FH C: 30FH-3FH D: 00H-07H
内容
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【单选题】闭合水准路线高差闭合差的计算公式为() A. fH=Σh测 B. fH=Σh测—-(H终-H始) C. fH=Σh测—-(H始-H终) D. fH=0
- 1
闭合水准测量路线的高差闭合差计算公式为（）。 A: fh=∑h往+∑h返 B: fh=∑h往-∑h返 C: fh=∑h测-(H始-H终) D: fh=∑h测
- 2
附合水准路线高差闭合差计算公式为（）。 A: fh＝∑h测-（H终-H始） B: fh=∑h测 C: fh=H终-H始 D: fh＝∑h往+∑h返
- 3
附合水准路线高差闭合差的计算公式为(<br/>) A: fh=h往-h返 B: fh=Σh C: fh=Σh-(H终-H始) D: fh=<br/>h返-h往
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附合水准路线高差闭合差公式? A: fh=∑h测-∑h理 B: fh=∑h往+∑h返 C: fh=∑h测 D: fh=∑h测+∑h理