金属电阻的应变效应主要是由于______ 的变化而产生的,半导体材料的应变效应则主要取决于材料的______ 随应变所引起的变化产生的。
举一反三
- 金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（） A: 金属应变片主要利用压阻效应 B: 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化 C: 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化 D: 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
- 金属电阻应变片的工作原理是主要基于____效应导致其材料几何尺寸的变化,半导体电阻应变片的工作原理是主要基于半导体材料的____效应。
- 常用的电阻应变片有金属电阻应变片和半导体电阻应变片,其中,金属电阻应变片主要是基于应变效应,而半导体电阻应变片主要基于压阻效应。(<br/>)
- 电阻应变式传感器中，金属材料的电阻相对变化与其（）成正比，半导体材料的应变电阻效应主要基于（）
- 金属应变片工作原理是利用（）效应；半导体应变片工作原理是利用（）效应。二者灵敏系数主要区别是：金属应变片的电阻变化主要由（）引起的，半导体应变片的电阻变化主要由（）引起的。