在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，温度越高，浓度越大。
举一反三
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
- 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
- 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。 A: 正确 B: 错误
- 对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高
- 1. 根据质量作用定律表达式n0p0=[img=24x22]180356679c3e4e0.png[/img]，下面正确的说法是（ ）。A. 温度一定，材料一定，非简并半导体的载流子浓度乘积n0p0一定，与所含杂质无关B. 温度一定，材料一定，半导体的载流子浓度乘积一定，与简并与否及所含杂质无关C. 温度一定，材料一定，半导体的本征载流子浓度ni一定，ni的值取决于EgD. 对确定的半导体材料，其本征载流子浓度ni取决于温度，因为Eg具有负温度系数E. 温度一定，不同半导体材料的本征载流子浓度ni不同是因为Eg各不相同 A: A B: B C: C D: D E: E