硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为______。
A: μ(Si)μ(Ge)>
μ(GaAs)
B: μ(Ge)
A: μ(Si)μ(Ge)>
μ(GaAs)
B: μ(Ge)
举一反三
- 硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。 A: μGaAs＜μGe＜μSi B: μGe＜μSi＜μGaAs C: μSi＜μGe＜μGaAs D: 无法比较
- 以下属于第二代半导体材料的有: A: 硅（Si） B: 锗（Ge） C: 砷化镓（GaAs） D: 氮化镓（GaN）
- 典型的半导体有 A: 硅(Si) B: 锗(Ge) C: 砷化镓(GaAs) D: 铁（Fe）
- 下列材料中,属于半导体材料的有() A: Si和Ge B: 砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb) C: 碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)
- 半导体材料硅、锗和砷化镓在室温下其杂质全部电离。