抑制性突触后电位是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的，主要是
A: K+、Na+,尤其是K+
B: K+、Na+,尤其是Na +
C: Ca2+、Na+、Cl-，尤其是Cl-
D: K+，Cl-，尤其是Cl-
A: K+、Na+,尤其是K+
B: K+、Na+,尤其是Na +
C: Ca2+、Na+、Cl-，尤其是Cl-
D: K+，Cl-，尤其是Cl-
举一反三
- "抑制性突触后电位()的形成机制是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的? A: Na+、K+、Cl-,尤其Na+ B: Na+、K+、Cl-,尤其Cl- C: K+、Cl-,尤其Cl- D: K+、Cl-,尤其K+ E: Ca2+、Na+,尤其Ca2+"
- 下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是 A: Na+、Cl-,尤其Na+ B: K+、Cl-，尤其是Cl- C: Na+、K+，尤其是Na+ D: Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
- 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位（） A: Na＋、Cl-、K＋，尤其是K＋ B: Ca2＋、K＋、Cl-，尤其是Ca2＋ C: Na＋、K＋，尤其是Na＋ D: K＋、Cl-，尤其是Cl- E: K＋、Ca2＋、Na＋，尤其是Ca2＋
- 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列那些离子通透性增加所致 A: Na+、Cl-、K+,尤其是K+ B: K+、Cl-,尤其是Cl- C: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+ D: Na+、K+,尤其是Na+ E: K+、Mg2+尤其是Mg2+
- IPSP是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的，主要是： A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na+ C: K+，Cl-，尤其是Cl- D: Ca2+、Cl-，尤其是Ca2+