气相外延制备n-/n+Si用硅烷为源,硅烷是在哪里完成的分解()
A: 气相
B: 硅片表面
C: n-/n+Si界面
A: 气相
B: 硅片表面
C: n-/n+Si界面
举一反三
- VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷及掺杂剂磷烷是通过 穿越边界层的。
- 不属于防锈包装的是（）。 A: 气相防锈膜\n B: 气相防锈\n C: 防锈油\n D: 气相防锈剂
- 设int n=6；表达式n%=n+=n-=n*n的值为_____
- 下列元素的电负性大小顺序为 A: Si＜C＜O＜N＜F B: C＜N＜O＜F＜S C: Si＜C＜N＜O＜F D: C＜Si＜N＜O＜F
- 二维数组a有m行n列，则在a[i][j]之后的元素个数为[/i] A: m*n-(i * n + j + 1) B: m*n-(j * n + i) C: m*n-(i * n + j) D: m*n-(i * n + j – 1)