某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。
A: N沟道耗尽型MOS管
B: P沟道增强型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: P沟道耗尽型MOS管
A: N沟道耗尽型MOS管
B: P沟道增强型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: P沟道耗尽型MOS管
举一反三
- 【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803c706faac2d1.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 某场效应管的输出特性如图所示，该管为( )[img=267x206]17d607956294f2f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管