PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
错
举一反三
- PMOS管的衬底是：（ ）。 A: N型半导体 B: P型半导体 C: PN结 D: NPN结
- CMOS集成电路的构成是指(<br/>)。 A: NMOS和PMOS共同构成的互补型集成电路。 B: N型半导体和P型半导体共同构成的互补型集成电路。 C: 只要在集成电路中有NMOS和PMOS等均叫CMOS集成电路。 D: CMOS是指另一种新的MOS管构成的。
- 绝缘栅场效晶体管可分为NMOS增强型、NMOS耗尽型、PMOS增强型、PMOS耗尽型等四种。
- PMOS管的源漏区和衬底都是P型的
- NMOS与PMOS连接构成反相器，其中负载管为___，倒相管为___（ ）。? NMOS，PMOS|NMOS，NMOS|PMOS，PMOS|PMOS，NMOS
内容
- 0
【单选题】已知某 MOS 管的衬底是 P 型半导体,且仅当栅源电压大于开启电压时才能形成导电沟道,此场效应管为()。 A. 耗尽型 NMOS 管 B. 增强型 NMOS 管 C. 耗尽型 PMOS 管 D. 增强型 PMOS 管
- 1
全桥逆变使用P型管驱动时，所需PMOS的数量是？
- 2
CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的 A: 增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管 B: 增强型NMOS管和耗尽型PMOS管 C: 增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管 D: 增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
- 3
某场效应管的为6mA,而自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。 A: P沟道结型管 B: N沟道结型管 C: 增强型PMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 4
某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: P沟道结型管