半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有()个应变电阻,以()电桥方式连接。
A: 1;惠斯顿
B: 4;惠斯顿
C: 1;惠特尼
A: 1;惠斯顿
B: 4;惠斯顿
C: 1;惠特尼
举一反三
- 半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有()个应变电阻,以()电桥方式连接。 A: A1;惠斯顿 B: B4;惠斯顿 C: C1;惠特尼
- 压敏电阻式进气压力传感器在膜片表面规定位置有四个应变电阻,以()方式连接。 A: 对称 B: 串联 C: 并联 D: 惠斯顿电桥
- 压敏电阻式进气压力传感器硅膜片上的应变电阻连接电路是( ) A: 串联 B: 并联 C: 三角形接法 D: 惠斯顿电桥
- 压敏电阻式进气压力传感器硅膜片上的应变电阻连接电路是 A: 串联 B: 并联 C: 三角型接法 D: 惠斯通电桥
- 压敏电阻式进气压力传感器硅膜片上有()个应变电阻 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4