• 2022-05-27
    关于安培环路定理的理解有下列几种说法错误是:
    A: 闭合路径内所包围的电流强度的代数和为零时,闭合路径上各点磁感应强度一定为零。
    B: 闭合路径内所包围的电流强度的代数和不为零时,闭合路径上各点磁感应强度一定处处不为零。
    C: 闭合路径上各点磁感应强度为零时,闭合路径内一定没有电流通过。
    D: 如果闭合路径内没有电流通过,则闭合路径上磁感应强度处处为零。
    E: 如果闭合路径上磁感应强度处处不为零,则闭合路径内必有电流通过。
  • A,B,C,D,E

    举一反三

    内容

    • 0

      恒定电流周围的磁场中,任意闭合积分路径上的磁感应强度是由() A: 闭合积分路径上的电流决定的 B: 闭合路径外的电流决定的 C: 空间中所有电流决定的 D: 闭合路径内电流代数和决定的

    • 1

      ‍根据高斯定理的数学表达式,可知下述各种说法中,正确的是:‍ A: 闭合面内的电荷代数和为零时,闭合面上各点场强一定为零。 B: 闭合面内的电荷代数和不为零时,闭合面上各点场强一定处处不为零。 C: 闭合面内的电荷代数和为零时,闭合面上各点场强不一定处处为零。 D: 闭合面上各点场强均为零时,闭合面内一定处处无电荷。

    • 2

      根据高斯定理的数学表达式[img=152x45]180381353040151.jpg[/img],可知下述各种说法中正确的是: A: 闭合面内电荷代数和为零时,闭合面上各点场强一定为零; B: 闭合面内的电荷代数和不为零时,闭合面上各点场强一定处处不为零; C: 闭合面内的电荷代数和为零时,闭合面上各点场强不一定处处为零; D: 闭合面上各点场强均为零时,闭合面内一定处处无电荷。

    • 3

      4、对于高斯定理,以下说法正确的是( ) A: 闭合曲面上的电场强度处处为零时,则曲面内必无电荷; B: 闭合曲面上的电场强度处处为零时,则曲面内电荷的代数和必为零; C: 闭合曲面的电场强度通量为零时,曲面上各点的电场强度必为零; D: 闭合曲面的电场强度通量不为零时,曲面上任一点的电场强度都不为零

    • 4

      闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内穿过电流的代数和必定为零。