场效应晶体管的主要参数有（）
A: 开启电压
B: 低频跨导
C: 漏源击穿电压
D: 最大耗散功率
E: 最大漏极电流
A: 开启电压
B: 低频跨导
C: 漏源击穿电压
D: 最大耗散功率
E: 最大漏极电流
A,B,C,D,E
举一反三
- 场效应晶体管的主要参数有（） A: A开启电压 B: B低频跨导 C: C漏源击穿电压 D: D最大耗散功率 E: E最大漏极电流
- 场效应管的主要参数有（）等。 A: 夹断电压 B: 开启电压 C: 饱和漏极电流 D: 低频跨导 E: 最大耗散功率
- 场效应管的主要参数有（）等。 A: A夹断电压 B: B开启电压 C: C饱和漏极电流 D: D低频跨导 E: E最大耗散功率
- 以下不是场效应晶体管的主要参数的是（） A: 开启电压 B: 低频跨导 C: 电流放大倍数β D: 最大耗散功率
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
内容
- 0
功率MOSFET的极限参数指的是（）。 A: 最大漏极电流 B: 最小漏极电流 C: 最大许用漏-源电压 D: 最小许用漏-源电压
- 1
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。 A: 漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B: 漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C: 基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D: 漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
- 2
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。 A: A漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B: B漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C: C基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D: D漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
- 3
跨导gm反映了场效应管（ ）对漏极电流 控制能力。 A: 栅源电压 B: 栅漏电压 C: 漏源电压 D: 源漏电压
- 4
跨导gm反映了场效应管（ ）对漏极电流 控制能力。 A: 栅源电压 B: 栅漏电压 C: 漏源电压 D: 源漏电压