电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。
A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率
B: 漏极连续电流
C: 栅源极击穿电压
D: 漏极峰值电压
A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率
B: 漏极连续电流
C: 栅源极击穿电压
D: 漏极峰值电压
A
举一反三
内容
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描述MOSFET静态工作点的参数有：栅源电压、漏源电压和漏极电流（ ）
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MOSFET的饱和漏极电流由()电压决定。 A: 栅极 B: 源极 C: 漏极 D: 体
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场效应管的工作原理是() A: 栅源电压控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电压 C: 栅极电流控制漏极电流 D: 栅极电流控制漏极电压
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场效应晶体管的主要参数有（） A: 开启电压 B: 低频跨导 C: 漏源击穿电压 D: 最大耗散功率 E: 最大漏极电流
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电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。