半导体中的空穴是（ ）。
A: 半导体中的晶格缺陷形成的
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 外部注入
A: 半导体中的晶格缺陷形成的
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 外部注入
举一反三
- 半导体中的空穴是（ ）。 A: 半导体中的晶格缺陷形成的 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 外部注入
- 半导体中的空穴是（ ）。 A: 半导体中的晶格缺陷形成的 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 外部注入
- 半导体中的空穴是（） A: 半导体晶格中的缺陷 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子
- 半导体中的空穴是()。 A: 半导体晶格中的缺陷 B: 带正电的离子 C: 带负电的离子 D: 电子脱离共价键后留下的空位
- 半导体中的空穴是(<br/>)。 A: 半导体晶格中的缺陷 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 带负电的离子