半导体中的空穴是(
)。
A: 半导体晶格中的缺陷
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 带负电的离子
)。
A: 半导体晶格中的缺陷
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 带负电的离子
B
举一反三
- 半导体中的空穴是()。 A: 半导体晶格中的缺陷 B: 带正电的离子 C: 带负电的离子 D: 电子脱离共价键后留下的空位
- 本征半导体中的空穴是 。 A: 半导体晶格中的缺陷 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 带负电的离子
- 本征半导体中的空穴是： A: 带正电的离子 B: 半导体晶格中的缺陷 C: 电子脱离共价键后留下的空位 D: 带负电的离子
- 半导体中的空穴是（） A: 半导体晶格中的缺陷 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子
- 半导体中的空穴是（ ）。 A: 半导体中的晶格缺陷形成的 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 外部注入
内容
- 0
半导体中的空穴是（ ）。 A: 半导体中的晶格缺陷形成的 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 外部注入
- 1
半导体中的空穴是（ ）。 A: 半导体中的晶格缺陷形成的 B: 电子脱离共价键后留下的空位 C: 带正电的离子 D: 外部注入
- 2
半导体中的空穴是: (1)半导体晶格中的缺陷; (2)电子脱离共价键后留下的空位;(3)带正电的离子。上述三种说法哪种是正确的？
- 3
半导体中空穴带正电,电子带负电
- 4
半导体的空穴是电子脱离共价键后留下的空位