下列不属于电力MOSFET的主要参数是"（）。
A: 漏源击穿电压
B: 鼎极连续电流
C: 棚漏击穿电压
D: 极间电容
A: 漏源击穿电压
B: 鼎极连续电流
C: 棚漏击穿电压
D: 极间电容
C
举一反三
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
- 场效应晶体管的主要参数有（） A: 开启电压 B: 低频跨导 C: 漏源击穿电压 D: 最大耗散功率 E: 最大漏极电流
- 电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）
- 场效应晶体管的主要参数有（） A: A开启电压 B: B低频跨导 C: C漏源击穿电压 D: D最大耗散功率 E: E最大漏极电流
- 功率MOSFET的极限参数指的是（）。 A: 最大漏极电流 B: 最小漏极电流 C: 最大许用漏-源电压 D: 最小许用漏-源电压
内容
- 0
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ） A: 对 B: 错
- 1
MOSFET利用（ ）电压控制（ ）电流的大小，是（ ）器件。 A: 栅漏，漏极，电流控制电流 B: 栅源，漏极，电压控制电流 C: 漏源，漏极，电流控制电压 D: 栅源，栅极，电流控制电压
- 2
描述MOSFET静态工作点的参数有：栅源电压、漏源电压和漏极电流（ ）
- 3
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。 A: 漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B: 漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C: 基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D: 漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
- 4
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。 A: A漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B: B漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C: C基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D: D漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量