当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: P沟道增强型
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: P沟道增强型
举一反三
- 下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
- 当vGS为0时，_____（a.N沟道耗尽型b.N沟道增强型c.P沟道耗尽型d.P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流。
- 【多选题】不加栅-源电压,存在导电沟道的场效应管是() A. P沟道增强型场效应管 B. N沟道耗尽型场效应管 C. P沟道结型场效应管 D. N沟道增强型场效应管
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。[img=470x168]18030dde7a220cc.png[/img] A: N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 B: N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型 C: P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 D: P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型